英诺赛科递交上市申请，面临来自竞争对手专利侵权诉讼
据香港证券交易所6月12日公告，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(下称“英诺赛科”)已递交上市申请，拟香港主板挂牌上市。联席保荐人为中金公司和招银国际。
资料显示，英诺赛科成立于2015年，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业，注册资本为8.34亿元。
英诺赛科计划将50%的募资资金用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能，计划从2023年的每月1万片晶圆扩大到未来5年每月7万片晶圆;将15%的募资用于研发和扩大氮化镓产品组合;此外，将募资用于扩大分销网络等。
值得注意的是，英诺赛科面临来自竞争对手的三项专利侵权诉讼，如果判决不利，可能会面临禁止生产或销售涉案产品，或责令支付赔偿的风险。
据相关媒体报道，2023年，氮化镓(GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)向加州地区法院以及美国国际贸易委员会提起诉讼，称英诺赛科侵犯了其四项专利，涵盖了EPC专有的增强型氮化镓(GaN)功率半导体器件的设计和大批量制造工艺的核心方面。
今年3月，英飞凌在其官网发布消息称，为防止自己拥有的与氮化镓(GaN)技术相关的美国专利收到侵犯，对英诺赛科提起诉讼，且正在寻求永久禁令。涉及起诉的专利权利要求涵盖了氮化镓(GaN)功率半导体器件的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有的氮化镓(GaN)器件可靠性和性能的创新。
