消息称三星与长江存储重磅合作，V10 NAND将使用中国企业专利
据韩媒ZDNet近日报道，三星可能将使用中国长江存储的混合键合专利，从其 V10(第10代)NAND开始。
报道称，三星计划于2025年下半年开始大规模生产其V10 NAND，该产品预计将具有约420至430层。报道还提到，三星和SK海力士据说正在与长江存储协商一项专利协议。
据悉，长江存储已率先在闪存中使用了晶栈 Xtacking 技术，该技术可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。
报道称，大约四年前，长江存储在该领域建立了强大的专利组合。而三星之前在NAND生产中使用了COP(Cell on Peripheral)技术，其中外围电路放置在一个晶圆上，而单元堆叠在其上方。然而，随着层数超过400层，对下层外围的压力增大会影响可靠性，因此需要采取替代方案。
知情人士表示，美国Xperi、长江存储和台积电拥有大多数混合键合专利。三星认为在下一代NAND如V10、V11和V12中很难绕过现有专利，因此选择与长江存储合作。
