据外媒 Tomshardware 报道，中国3D NAND领军企业闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的11项专利，涉及3D NAND Flash和DRAM产品。
长江存储请求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。
长江存储指控称，美光的96层(B27A)、128层(B37R)、176层(B47R)和232层(B58R)3D NAND Flash，以及美光的一些DDR5 SDRAM产品(Y2BM 系列)，侵犯了长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。据@lithos_graphein收集的专利申请列表表明，它们涵盖了3D NAND和DRAM功能的一般方面。
这是继今年6月后，长江存储又一次对美光出手。2023年11月，长江存储就曾在美国起诉美光专利侵权，涉8项专利;2024年6月，长江存储在美起诉美光资助的咨询公司，指控其散布虚假信息。
美国商务部于2022年底将长江存储列入黑名单，这大大增加了该公司从美国公司获得先进晶圆厂设备，以制造其市场领先的3D NAND设备的难度。去年，因为美国商务部禁止销售可用于制造具有超过128个活动层的3D NAND的晶圆厂工具和技术，长江存储发展的难度再度加大。
有趣的是，总部位于美国的 Patriot Memory正在准备一款高端PCIeGen5x4SSD，其读取速度高达14GB/s。而该公司的技术正是基于一家中企——Maxiotek的控制器和长江存储的3D NAND内存。
