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美国EPC专利被判决无效,国内氮化镓半导体第一股英诺赛科获ITC案件终极胜利

2025-03-21 09:14:21  来源:IT之家  作者:中企检测认证网  浏览:9

美国EPC专利被判决无效,国内氮化镓半导体第一股英诺赛科获ITC案件终极胜利

美国GaN技术厂商宜普公司(Efficient power Conversion Corporation,EPC)于2023年向加州地区法院和ITC提起诉讼,声称国产 GaN 芯片龙头英诺赛科侵犯了EPC的4项专利,并寻求禁售与侵权赔偿。

近日,英诺赛科宣布其在与美国 EPC 发起的专利侵权案中取得决定性胜利:2025年3月18日, 美国专利局(USPTO)对EPC涉案专利(US’294 号专利) 作出最终裁定,判决该专利所有权利要求均无效且应被撤销。这一判决从根本上否定了EPC针对英诺赛科的指控基础,标志着英诺赛科在EPC发起的这场长达两年的专利战中取得了完全胜利。

2023年5月,EPC在ITC对英诺赛科发起专利侵权诉讼调查,宣称英诺赛科侵犯了EPC的US’294号专利和其他三项美国专利。其后,EPC主动撤诉其中两项专利。ITC最终裁定第三项专利没有侵权。对于US’294号专利,ITC裁定部分权利要求有效且被侵权。

英诺赛科坚决反对ITC有关US’294号专利有效及侵权的裁决,并且已于2025年1月31日向美国联邦上诉法院提起上诉。英诺赛科认为ITC关于US’294号专利的判决有误,应予以推翻。

现在,美国专利局(USPTO)关于US’294号专利的无效裁定证实了ITC先前对该专利的判决存在错误判断,也确定了EPC对英诺赛科的指控并无根据,属恶意竞争行为。USPTO在其最终裁决中指出EPC的US’294号专利所有权利要求均无效,因为它们仅仅是重复氮化镓(GaN)领域的现有且被广泛使用的通用技术。

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